MOCVD是一种利用有机金属分解反应进行气相外延生长薄膜的化学气相沉积技术。为了生长出多组分、大面积、薄层和超薄层化合物半导体材料， MOCVD设备除了要考虑系统密封性、流量、组分变换迅速等，最重要的是反应腔的温度控制。MOCVD腔体温度控制精度需达到0.2℃或更高，高的温度均匀性也是产品良率的重要保证。

材料介绍

因为钨、钼、铼等难熔金属材料具有耐高温、低污染、优异的耐蠕变性能、较高的尺寸稳定性、膨胀系数低、可焊接性能等优势，所以被广泛用做MOCVD加热器的加热丝、隔热屏、导电板等零部件。
铼加热丝

- 铼板，铼片，铼棒

- 钨棒、钨板、钨箔、钨丝

- 其他定制钨制品

产品规格

我公司MOCVD项目的技术研发实力雄厚，可以提供整套加热器设计方案、产品，同时还可以为客户提供MOCVD设备加热片的更换、升级以及修复等服务。

V系列：K465（i）、EPIK700、E475、K475、Maxbright 系列MOCVD加热器的修复、升级、更换。      

A系列：CRIUS，CRIUS II， CRIUS II-L 系列MOCVD加热器的修复、升级、更换。  我公司还拥有自主开发MOCVD加热器的技术和经验，可根据客户需求提供整套技术及产品解决方案。

公司优势

 我们从2007年开始进行MOCVD加热器的研究，并已与国际国内多家设备制造商形成战略合作关系，共同开发MOCVD设备。目前安泰天龙MOCVD加热器组件已大批量应用于全球在运行外延设备。